Description
This book demonstrates to readers why Gallium Nitride (GaN) transistors have a superior performance as compared to the already mature Silicon technology. The new GaN-based transistors here described enable both high frequency and high efficiency power conversion, leading to smaller and more efficient power systems. Coverage includes i) GaN substrates and device physics; ii) innovative GaN -transistors structure (lateral and vertical); iii) reliability and robustness of GaN-power transistors; iv) impact of parasitic on GaN based power conversion, v) new power converter architectures and vi) GaN in switched mode power conversion.
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Provides single-source reference to Gallium Nitride (GaN)-based technologies, from the material level to circuit level, both for power conversions architectures and switched mode power amplifiers;
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Demonstrates how GaN is a superior technology for switching devices, enabling both high frequency, high efficiency andlower cost power conversion;
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Enables design of smaller, cheaper and more efficient power supplies.
- Langue
- en
- Version
- livre numérique
- Date de sortie initiale
- 12 mai 2018
- Format ebook
- Adobe ePub
Personnes impliquées
- Rédacteur en chef
-
Gaudenzio Meneghesso
- Deuxième rédacteur
-
Matteo Meneghini
- Editeur principal
-
Springer
Options de lecture
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- Livre d‘étude
- Oui
EAN
- EAN
- 9783319779942
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